功 能

• 用于SiC、GaN等高温氧化工艺

• 满足真空/气氛高温氧化工艺

重要参数

• 最大晶圆尺寸：满足6寸以下晶圆工艺要求

• 最大载片量：50片/批

• 最高加热温度：1500℃

装卸片方式

• 立式垂直升降

• 立式真空密封系统